M-3手持式四探针测试仪二、概述3型手持式四探针测试仪是运用四探针测量原理测试电阻率/方阻的多用途综合测量仪器。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国标并参考美国A.S.T.M标准。成套组成：由M-3主机

ST2258C型多功能数字式四探针测试仪二、概述ST2258C型多功能数字式四探针测试仪是运用四探针测量原理测试电阻率/方阻的多用途综合测量仪器。该仪器设计符合GB/T1551-2009《硅单晶电阻率

规格：化学纯度：高纯碲：Te-05纯度99.999%以上，银，铝，铋，钙，铬，铜，铁，镁，锰，钠，镍，铅，硒，硅，锡，锌，杂质总含量小于10ppm；超纯碲：Te-06纯度99.9999%以上，银，铝，

真空上料机又称真空输送机，是一种借助于真空吸力来传送颗粒和粉末状物料的无尘密闭管道输送设备，利用真空与环境空间的气压差，形成管道内气体流动，带动粉状物料运动，从而完成粉体的输送客户现场安装：咨询：18

规格：化学纯度：高纯铋：Bi-05纯度99.999%以上，银，铝，砷，金，镉，铬，铜，铁，镁，镍，铅，锡，锌杂质总含量小于10ppm；超纯铋：Bi-06纯度99.9999%以上，银，铝，砷，金，镉，铜

高纯铟1，纯度：4N（99.99%）；5N（99.999%）；6N(99.9999%)2，物理性质：原子量：114.818电负性：1.78密度：7.31g/cm3（20℃）（0-100℃）熔点：156

优质5N高纯镉粒1．元素描述CasNo：7440-43-9原子量：112.411密度：8.65g/cm3熔点：321.07℃沸点：767℃2.纯度5NCd，纯度99.999%以上，杂质总含量小于10p

ST2253型数字式四探针测试仪二、概述ST2253型数字式四探针测试仪是运用四探针测量原理测试电阻率/方阻的多用途综合测量仪器。该仪器设计符合GB/T1551-2009《硅单晶电阻率测定方法》、GB

高纯锗块颗粒粉1．元素描述化学式：GeCasNo：7440-56-4原子量：72.64密度：5.35g/cm3熔点：937.4℃沸点：2830℃2．纯度99.99%～99.9999%3.规格块、颗粒、

ST2263型双电测数字式四探针测试仪二、概述ST2263型双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测-改进形范德堡测量方法测试电阻率/方阻的多用途综合测量仪器。该仪器设计符合单晶硅物理测试

高纯镓元素描述化学式：GaCasNo：7440-54-2原子量：69.723密度：5.91g/cm3熔点：29.8℃沸点：2204℃

ST2242导电凝胶电阻率测试仪一、结构特征ST2242交流四探针电阻率测试仪由主机、测试台、测试探头等组成。二、概述ST2242手持式交流四探针测试仪是专为不适用直流四探针法测试的样品，主要是离子导

半导电屏蔽层电阻率测试仪满足标准：GBT11017.1-2014额定电压110kVUm=126kV交联聚乙烯绝缘电力电缆及其附件第1部分试验方法和要求D半导电屏蔽电阻率测量方法产品概述：仪器由电气箱和

ST2253-F01型钨针直线四探针探头ST2253-F01钨针直线四探针探头基本功能：ST2253-F01型钨针直线四探针探头，直线1+1+1mm针距,有高耐磨碳化钨探针，配以四探针仪器和测试台，用

描述99.99%二氧化碲（TeO2）粉末(导电银浆,光亮剂专用）1,技术对接：铅锌矿，铜矿的阳极泥–富集-电解–真空蒸馏–全CVD化学气相沉积工艺：Te+O2=TeO2(不含任何酸根离子）;*酸根离子

半导电屏蔽电阻率测试仪概述仪器由电气箱和测试架两大部分组成，测试架具有夹持加压机构，能够良好地夹紧各种不同直径的屏蔽电缆，具有环形准确度达0.3%的电位电极和电流电极确保仪器取样位置精度高、使用方便、

P/N型碲化铋(P/N-TypeBi2Te3)1，纯度：4N(99.99%）；2，P型：碲化铋掺锑（dopedAntimony)N型：碲化铋掺硒（dopedSelenium)3,应用：形成P/N节用于

不升温，由于物料是在气体膨胀的状态下粉碎，所以粉碎腔体温度控制在低于常温状态，且可长期工作，温度不会升高，适用于医药、视频等热敏性、低熔点、含糖份或有挥发性物料的超细粉碎无污染，磨损小，因为无料在气流

中文名称：碲化锑中文别名：三碲化二锑英文名称：antimonytelluridecrystal分子式：Sb2Te3分子量：626.3性质：周期表第V，VI族元素化合物半导体。共价键、离子键结合，有一定

线缆电缆屏蔽电阻率测试仪产品概述：本仪器用来测试高压电缆半导电内外屏蔽层的电阻率，采用四端子电流—电压降压法原理，能够有效地排除测试中产生的接触电阻和引线电阻的影响，通过专用的测试架能够对不同直径的电