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杭州凯亚达半导体材料有限公司
中文名称:碲化锑
中文别名:三碲化二锑
英文名称:antimony telluride crystal
分子式:Sb2Te3
分子量:626.3
性质:周期表第V,VI族元素化合物半导体。共价键、离子键结合,有一定的范德瓦尔斯键成分,三角晶系,原胞为菱形六面体。密度6.5g/cm3。熔点620℃。禁带宽度0.23eV。电阻率为3×10-6Ω·m时的塞贝克系数为100μV/K。温差电优质系数0.9×10-3/K。采用布里奇曼方法制备。为温差电材料。
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