超高真空多腔体磁控溅射系统

技术参数：

1超高真空腔体：多片进样，离子清洗腔及多枪头磁控溅射三腔

2负载锁进样室：进样腔同时装载四片样品

3离子束清洗：考夫曼离子源, 样品台双倾角控制

4磁控溅射：磁控溅射腔可配四个3寸枪及1个4寸枪

5基板：可加热至RT-900ºC，可旋转，基板与靶材距离连续可调，晶圆和靶空间可以连续变化

6极限真空：<3E-9Torr

7基板传输：高度可靠和可重复的基板传输能力

8人机界面 ：全自动化人机操作界面

9安全：工业标准安全互锁，工业安全联锁，报警装置

厦门韫茂科技有限公司凭借在先进材料设备业务方面多年的经验，韫茂为新型芯片，半导体和锂电池领域的新材料开发和生产，提供***的纳米工艺设备和服务解决方案。根据您的特殊需求，我们为您定制打造创新纳米加工平台，保证高品质的设计，多功能，易于使用的界面，严格的安全控制，以及快速的交付和服务。