双腔体粉末及Wafer等离子体ALD

QBT-T技术参数：

1腔体：双腔体设计，1个腔体粉末ALD，1个腔体Wafer PEALD，每个腔体可独立控制，双倍产出

2等离子体：**3kW RF自匹配电源

3**基板尺寸：100克粉末或150mm wafer

4高精准样品加热控制：RT-300±1ºC

5前驱体：**可包括3组等离子体反应气体 8组液态或固态反应前驱体，

6臭氧发生器：可选配，生产效率15g/h

7基板传输：可选配，高度可靠和可重复的基板传输能力

8人机界面：全自动化人机操作界面

9安全：工业标准安全互锁，安全联锁，报警装置

厦门韫茂科技有限公司凭借在先进材料设备业务方面多年的经验，韫茂为新型芯片，半导体和锂电池领域的新材料开发和生产，提供***的纳米工艺设备和服务解决方案。根据您的特殊需求，我们为您定制打造创新纳米加工平台，保证高品质的设计，多功能，易于使用的界面，严格的安全控制，以及快速的交付和服务。