扩散氧化炉

　扩散炉是半导体生产线前工序的重要工艺设备之一，用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件和光导纤维等行业的扩散、氧化、退火、合金和烧结等工艺。水平管式炉的设计考虑了硅片生产的多种工艺性能需要，具有**生产能力和优越的性能指标。

　采用高可靠性工控机+PLC模式，对炉温、进退舟、气体流量、阀门进行全自动控制,实现全部工艺过程自动化；
　　关键部件均采用进口，确保设备的高可靠性；
　　具有友好的人机界面，用户可以方便地修改工艺控制参数，并可随时显示各种工艺状态；
　　具有多种工艺管路，可供用户方便选择；
　　具有多种报警功能及安全保护功能；
　　具有强大的软件功能，配有故障自诊断软件，可大大节省维修时间；
　　恒温区自动调整，串级控制，可准确控制反应管的实际工艺温度。

适用晶片尺寸： 2~8英寸圆片
　　工作温度： 600℃～1300℃；
　　可配工艺管数量： 1~4管/台
　　恒温区长度及精度：≤±0.5℃/300~800mm （800℃～1300℃），
　　单点温度稳定性：≤±0.5℃℃ /24h （1100℃）；
　　温度斜变能力：**升温速率：20℃/min，**降温速率：5℃/min；
　　具有超温、断偶、热偶短路、工艺气体流量偏差报警和保护功能；
　　可根据用户要求定制产品。

用于半导体器件、集成电路制造过程中扩散、氧化、退火及合金工艺。