纳米钇粉通过气相CVD方法制备，纯度高、粒径小，球形度高，松装密度小，颗粒均匀，分布区间窄，比表面积大,表面活性高，纳米钇粉可以广泛应用于电子和原子能工业。产品参数产品纳米钇（Y)产品型号CB-Y01

纳米钽粉通过气相CVD方法制备，纯度高、粒径小，球形度高，颗粒均匀，分布区间窄，比表面积大,松装密度小，纳米钽粉，钽电容器是军用电子领域应用*广泛的电容器产品，电子整机产品的尺寸变的越来越小，要求钽电

纳米铋粉通过气相CVD方法制备，纯度高、球形度高，松装密度小，颗粒均匀，分布区间窄，比表面积大,表面活性高，球形状、分散性好、氧化温度高、烧结收缩性好。产品参数产品纳米铋（Bi)产品型号CB-Bi01

纳米钛粉通过气相CVD方法制备，纯度高，粒度均匀，球形度高，表面活性高，可以充分地应用涂料、树脂中，而且纳米钛经过表面包裹处理，可以长时间放置不被氧化，经过表面处理的纳米钛，可以很好的解决分散性问题，

纳米锆粉通过气相CVD方法制备，纯度高、球形度高，松装密度小，颗粒均匀，分布区间窄，比表面积大,表面活性高，球形状、分散性好、氧化温度高、具有光泽，故外观与钢相似。有耐腐蚀性，可溶于氢氟酸和王水，高温

纳米铌粉通过气相CVD方法制备，纯度高、球形度高，颗粒均匀，分布区间窄，比表面积大,表面活性高，球形状、分散性好、氧化温度高、是一种金属元素，铌能吸收气体，用作除气剂，也是一种良好的超导体。产品参数产

纳米氧化锌通过气溶胶烧蚀法制备，纯度高、粒径小、分布均匀，比表面积大、表面干净，无残余杂质，松装密度低，易于分散，小颗粒的纳米氧化锌，具有强的屏蔽红外、紫外线和杀菌保健、降温或保暖等许多奇异功能。产品

纳米氧化铜通过气溶胶烧蚀法制备，纯度高、粒径小、分布均匀，比表面积大、表面干净，无残余杂质，松装密度低，易于分散，具有表面效应、量子尺寸效应、体积效应以及宏观量子隧道效应等优越性能，在磁性、光吸收、化

纳米氧化镁通过气溶胶烧蚀法制备，纯度高、粒径小、分布均匀，比表面积大、表面干净，无残余杂质，松装密度低，易于分散，有明显的小尺寸效应、表面效应、量子尺寸效应和宏观隧道效应，经表面改性处理，无硬团聚现象

纳米氧化钛通过气溶胶烧蚀法制备，纯度高、粒径小、分布均匀，比表面积大、表面干净，无残余杂质，松装密度低，易于分散，小颗粒的纳米二氧化钛有很好的光催化效果，能分解在空气中的有害气体和部分无机化合物，并抑

纳米氧化铝粉通过气溶胶烧蚀法制备，纯度高、粒径小、分布均匀，比表面积大、表面干净，无残余杂质，松装密度低，易于分散，晶相稳定、硬度高、尺寸稳定性好，可广泛应用于各种塑料、橡胶、陶瓷产品的补强增韧，特别

纳米氧化锆粉通过气溶胶烧蚀法制备，纯度高、粒径小、分布均匀，比表面积大、表面干净，无残余杂质，松装密度低，易于分散，纳米氧化锆，硬度较大、常温下为绝缘体、而高温下则具有优良的导电性，具有抗热震性强、耐

纳米氧化铁粉通过气溶胶烧蚀法制备，纯度高、粒径小、分布均匀，比表面积大、表面干净，无残余杂质，松装密度低，易于分散，耐高温（800℃不变色）。纳米氧化铁是一种新型的纳米材料，可广泛应用于涂料、油漆、油

纳米四氧化三铁粉通过气溶胶烧蚀法制备，纯度高、粒径小、分布均匀，比表面积大、表面干净，无残余杂质，松装密度低，易于分散，具有一定的磁性，且在外磁场下能够定向移动，粒径在一定范围之内具有超顺磁性，以及在

纳米四氧化三锰粉通过气溶胶烧蚀法制备，纯度高、粒径小、分布均匀，比表面积大、表面干净，无残余杂质，松装密度低，易于分散，具有一定的超强磁性。产品参数产品纳米四氧化三锰（Mn3O4)产品型号CB-Mn3

纳米四氧化三钴粉通过气溶胶烧蚀法制备，纯度高、粒径小、分布均匀，比表面积大、表面干净，无残余杂质，松装密度低，易于分散，易于被碳、一氧化碳或氢还原成钴，900℃以上时失去氧成为一氧化钴，在较低温时能吸

纳米氧化镍粉通过气溶胶烧蚀法制备，纯度高、粒径小、分布均匀，比表面积大、表面干净，无残余杂质，松装密度低，易于分散，克服了市场上湿化学法制备的颗粒硬团聚、难分散、纯度低等缺点，纳米氧化镍作为一种功能材

纳米二氧化锡粉通过气溶胶烧蚀法制备，纯度高、粒径小、分布均匀，比表面积大、表面干净，无残余杂质，松装密度低，易于分散，很容易形成稳定的纳米浆料，大大降低了纳米氧化锡粉的分散难度，提高了分散效率，是一种

纳米二氧化钒粉通过气溶胶烧蚀法制备，纯度高、粒径小、分布均匀，比表面积大、表面干净，无残余杂质，松装密度低，易于分散，很容易形成稳定的纳米浆料，纳米二氧化钒是个很好的相变材料，目前把纳米二氧化钒掺杂钨

纳米氧化铟粉通过气溶胶烧蚀法制备，纯度高、粒径小、分布均匀，比表面积大、表面干净，无残余杂质，松装密度低，易于分散，纳米氧化铟是一种新的n型透明半导体功能材料，具有较宽的禁带宽度、较小的电阻率和较高的